英诺赛科手脚环球8英寸硅基氮化镓晶圆量产前锋，放纵2024年6月30日，月产能达12，500片，为自主改动与新品试真金不怕火筑牢根基。超700项专利及肯求涵盖芯片多规模，制造赋能研发，研发反哺制造，芯片资本、录用、工艺迭代全面优化，产物竞争力轶群。
公司资本管控卓有收效，直击客户痛点拓荒产物，玄虚打磨制造工艺，整合供应链压低资本。8英寸硅基氮化镓晶圆良率超95%，单元晶圆晶粒产出飙升80%、芯片资本大降30%，产能运用率达72.8%，运营高效。
依托中国完备供应链，英诺赛科在制造自主、东谈主才集聚上跳跃一步，与稠密破钞电子品牌紧密互助，新品拓荒、出货一马最初，又将触角伸向数据中心、电动汽车等前沿，供应链上风尽显。前瞻布局应用生态。公司建立以来，一直戮力于建造经常的氮化镓应用生态，不断推出改动产物。
男同动漫以最新推出的100V半桥氮化镓功率芯片ISG3201为例，适用于48V功率系统、电动器用等高频高功率场景。VGaN系列产物INN040W048A属于环球首款双向导通氮化镓器件，大致应用于智妙手机USB/无线充电端口。
当下，AI、电动汽车、机器东谈主繁盛兴起，氮化镓凭高频、高能效上风在功率半导体规模崭露头角。弗若斯特沙利文瞻望2023-2028年环球氮化镓功率半导体阛阓规模飙升，复合增长率达98.5%，中国“十四五”盘算亦狂放扶抓。英诺赛科站在时期潮头，破解IDM“重钞票逆境”，以“全供应链+研发制造协同+全应用生态”全新矩阵，改写盈利速率，重塑环球功率半导体竞争样式，奏响行业发展最强音。
将来，在AI行状器、机器东谈主和EV等新兴技艺繁盛兴起的大配景下，英诺赛科不仅为行业诞生了如安在保证性能的同期缩小资本的标杆，更为中国半导体产业杀青弯谈超车提供了圭表，其将来发展值得环球注释。